中芯与IBM合作首批45纳米芯片验证成功

中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）日前宣布，自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulkCMOS技术许可协议不到一年后，其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。 

在过去11个月里，中芯国际生产设备都已到位，并成立了一个专家组与IBM团队密切合作，以确保转移技术顺利，并开始进行技术认证的测试。第一批完整工艺流程的300毫米芯片在IBM的测试条件下取得了出色的良率。“高端客户们对中芯45纳米项目取得的进展感到满意，对此我们非常感谢IBM系统技术团队给予我们强大的技术支持。”中芯国际45纳米项目负责人，逻辑技术中心副总经理俎永熙博士表示，“这是我们45纳米合作项目的第一个重要里程碑，为我们给客户提供IBM的技术与中芯国际完善的芯片代工服务铺平了道路。”     

这一技术目标提前完成，进一步巩固了中芯国际技术领先者的地位。中芯国际已与一系列高端客户签定45纳米代工协定，计划于2009年开始生产。该技术以SPICE模式为支持，有助于畅通设计流程，使客户能尽早计划产品上市时间。     

IBM授权的45纳米bulkCMOS技术可实现以下应用，包括移动设备，如3G手机，全球定位系统，以及多媒体处理器。该技术还可以支持图形，网络，存储及一般消费性装置的生产制造。     

“完成第一批45纳米良率测试产品令我们十分振奋和鼓舞”，中芯国际市场行销中心资深副总裁季克非表示，”这不仅验证了IBM公司授权的技术，也证明了我们专注于逻辑代工的策略是十分正确的，同时也使中芯国际能够为设计及系统厂商及时提供领先的45纳米芯片代工解决方案。此外,我们提前完成技术目标也再次证明了中芯国际在严格时间限制下的技术开发能力。”

来源：电子工程专辑